Степанов, А. А.Шевцов, В. А.Степанов, О. О.Шевцов, В. О.Stepanov, А.Shevtsov, V.2022-12-122022-12-122014Степанов, А. А. Ударная ионизация в диодах Ганна / А. А. Степанов, В. А. Шевцов, // Автомобіль і електроніка. Сучасні технології : зб. наук. пр. [Електронний ресурс] / М-во освiти i науки України, ХНАДУ. - Харкiв, 2014. - Вип.6.2226-9266https://dspace.khadi.kharkov.ua/handle/123456789/6492На основе методики описания умножение носителей заряда вследствие ударной ионизации в движущемся домене сильного электрического поля. Рассматриваются соотношения концентраций электронов и дырок в домене и вне его. Анализируется система уравнений, позволяющих определить эти концентрации как функции тока.ruударная ионизациядоменумножение носителейвремя жизни электронов и дырокконцентрации носителейударна іонізаціядоменмноження носіївчас життя електронів і дірокконцентрації носіївShock ionizationthe domainmultiplication of carrierslifetime electrons and holesconcentration of carriers .Ударная ионизация в диодах ГаннаУдарна іонізація в діодах ГанаShock ionization in Gann’s diodesArticle621.382