Глушкова, Діана БорисівнаПлахтій, Євген Георгійович2024-02-152024-02-152023Пат. 154372 Україна, МПК (2023.01) C23C 14/00. Спосіб отримання нанокристалів виду ZnSxSe1-x та ZnSxSe1-x:Mn на ZnSx методом самопоширюваного високотемпературного синтезу / Глушкова Діана Борисівна, Плахтій Євген Георгійович ; власники : Харкiв. нац. автомоб.-дор. ун-т. – № u 2023 01900 ; заявл. 24.04.2023 ; опубл. 08.11.2023, Бюл. № 45. – 5 с.https://dspace.khadi.kharkov.ua/handle/123456789/19924Спосіб отримання нанокристалів виду ZnSxSe1-x та ZnSxSe1-x:Mn розмірами 50-80 нм методом самопоширюваного високотемпературного синтезу, при якому синтез проводять в кварцових оболонках, розміщених у герметичному сталевому реакторі. При цьому порошки Zn, S і Se високої чистоти беруть з надлишком Se у кількості 5 % понад стехіометричний склад, попереднє перемішування шихти проводиться з додаванням етилового спирту протягом 1 години, потім суміш сушиться протягом 30 хвилин при T~350 K. Реакція синтезу ініціюється імпульсом струму з амплітудою ~ 40 A, який забезпечується ніхромовою спіраллю, розташованою у верхній частині реактора при атмосферному тиску в повітряному середовищі, легування нанокристалів ZnSxSe1-x іонами Mn2+ проводять додаванням солі MnCl2 до вихідної шихти у кількості 10-2 мас. %.ukвисокотемпературний синтезкварцові оболонкиреакторOther