Спосiб визначення вiдносної змiни поверхневої енергiї голчастих кристалiв внаслiдок появи тонкого металевого шару покриття

Abstract

1. Спосіб визначення відносної зміни поверхневої енергії голчастих кристалів внаслідок появи тонкого шару металевого покриття, який відрізняється тим, що чисельне значення величини знаходять завдяки вимірюванню параметрів діючого електричного поля на зразок в польовому іонному мікроскопі (ПІМ), причому шукану величину розраховують за формулою:

γ2/γ1=(U02/U01),2 (1)

де U01 та U02 - напруги електричного поля під час спостереження в ПІМ зразка без покриття та з покриттям;

γ1 - поверхнева енергія голчастого зразка без покриття;

γ2 - поверхнева енергія тонкого шару металевого покриття.

2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що у випадку, коли R1¹R2, тобто радіус верхівки R1 голчастого зразка помітно змінюється до R2, після осадження шару покриття, шукану величину розраховують за формулою:

γ2/γ1=(R2/R1)(U02/U01),2 (2)

де U01 та U02 - напруги електричного поля під час спостереження в ПІМ зразка без покриття та з покриттям;

γ1 - поверхнева енергія голчастого зразка без покриття;

γ2 - поверхнева енергія тонкого шару металевого покриття;

R1 - радіус кривизни верхівки голчастого зразка без покриття;

R2 - радіус кривизни верхівки голчастого зразка з покриттям.